一、单管氢气炉 1966年9月,青岛无线电专用设备厂试制成功L6515Ⅱ-4型单管氢气炉,当年生 产14台,这是山东省电子专用设备工业的最初产品。该设备供半导体器件或金属零 件在氢气中退火或合金烧结之用,炉内温度最高达1450℃。电子工业部七七四厂、 七七八厂、七七三厂、七七六厂等电子管厂应用于真空热处理器件,电子部十二所 应用于金属陶瓷化烧结工艺,其他半导体生产厂应用于管壳、管帽的烧结工艺等。 至1988年,青岛无线电专用设备厂累计生产294台。 二、高温扩散炉 1967年,青岛无线电专用设备厂试制成功D051-32型高温扩散炉,次年投入生 产。该设备适用于半导体平面工艺,作为磷、硼等对硅晶片扩散的加热设备。炉管 内径67毫米,控温精度±1℃,恒温区≥250毫米。为该类产品的第一代,是山东省 生产的第一种高温扩散炉。至1988年,累计生产164台。 1983年,青岛无线电专用设备厂研制成功L4514Ⅱ型高温扩散炉,同年投入生 产。该设备用于半导体平面工艺的扩散、氧化、烧结等。其特点为无内外刚玉炉管, 炉丝加热器兼做炉管用,使用寿命长,升温快,动态特性好,耗能低,属第三代产 品,居国内先进水平。1984年获电子工业部优质产品奖及山东省优质产品奖。至 1988年,累计生产186台。 1985年2月,青岛无线电专用设备厂又研制成功L4514Ⅱ-33/RZQ型电脑程控高 温扩散炉。该设备用于半导体工业大口径硅片扩散工艺。采用Z80微处理器构成程 序控制器,能对温度进行升降速率控制,以及过程时间控制等,控温精度达±0.5℃ /24小时,属第四代产品。1988年投入生产,至年底共生产5台。 三、真空烧结炉 1971年,青岛无线电专用设备厂试制成功L6413Ⅱ-1型坑式真空烧结炉,次年 投入生产。该设备为半导体工艺设备,用以将半导体芯片烧结在管座上。至1988年, 累计生产69台。 1980年,该厂又试制成功L4611-D型卧式真空烧结炉。其工作温度为400~1150℃ ,控温精度≤±1℃/24小时,等温区长≥200毫米/±1℃。具有加热体短而温区长、 控温精度高等特点。至1988年,累计生产65台。 1984年3月,青岛无线电专用设备厂还研制成功L4811Ⅱ型立式真空烧结炉,同 年投入生产。1985年4月通过省级鉴定。该设备具有一机多用(可以作真空烧结,也 可用作真空扩散)、控温精度高、温区长、保温性能好、真空度高等特点。至1988 年,累计生产84台。 四、真空镀膜机 1969年,青岛无线电专用设备厂试制成功ZD-306型真空镀膜机,次年投入生产。 该设备通过真空蒸发的方式在金属或非金属、导体或半导体以及绝缘体等多种材料 上涂覆不同性质的镀膜,在半导体平面工艺中可在硅片上蒸发一层铝膜。1973年后 停产,累计生产192台。 五、单晶炉 1970年,青岛无线电专用设备厂试制成功单晶炉,同年投入生产。该设备可将 多晶硅经过1400℃高温熔化,再提拉成单晶硅。其加热功率≥30KW,加热温度稳定, 连续可调,有真空设备。1972年后停产,累计生产20台。 六、热压焊机 1971年3月,烟台无线电设备厂试制成功ZFZ型热压焊机,供焊接各种晶体管的 内引线用。当年生产156台,至1972年底,累计生产200台,1973年后停产。 七、电脑温控仪 1986年,青岛无线电专用设备厂研制成功DWK/RZQ型电脑温控仪。该仪器能方 便而准确的满足各种复杂温度曲线的控制要求,特别适应于多点精密温度控制。其 测温范围0~1600℃,分辨率0.1℃,控温精度±0.5℃/24小时,为国内同类产品领 先水平,达到国际80年代初水平。1988年5月获国家优秀成果奖。1987年投入生产, 至1988年,累计生产51台。