1972年,济南半导体元件实验所试制成功3CM微功耗超β三极管,到1976年, 共生产3.59万只。 1975年,临沂半导体器件厂研制成功3CM微功耗超β三极管和3DM微功耗高β三 极管。该产品主要用于小电流微弱信号放大电路中,具有输入阻抗高、噪声低等特 点,属同类产品第二代,该产品采用新的氧化、扩散工艺和氮化硅表面钝化工艺, 性能可靠,参数规范,余量较大,在国内居领先水平,在国际上达到了日本同类产 品2SC2329的水平,产品销往全国20多个省、市的100多个厂家。 1975年5月,济南半导体四厂开始研制3DMNPN型微功率超β平面晶体三极管, 1976年批量生产,年生产能力6万只。该产品采用BE型金属管壳封装,主要用于小 功率的线性电路,具有良好的线性特性,反向漏电极小,低温性能优良,能在微功 率状态下良好地工作。到1988年,济南半导体四厂累计生产3DMNPN型微功率超β平 面晶体三极管57.43万只。 1984年底,临沂半导体器件厂引进了塑料封装及玻璃钝化生产线,产品产量和 产品质量不断提高。 到1988年,临沂半导体器件厂累计生产了3CM、3DM硅平面微功耗三极管199.23 万只。