1986—1989年，山东师范大学等开展提高高反压功率三极管间歇寿命的研究。项目研制的是彩电用高反压功率三极管，背部金属采用不同膨胀系数的多层金属，上粘附层与s1在100℃~200℃形成金属硅化物，下粘附层采用Ag、Au与焊料浸润，在上下粘层中间设立阻挡层，其相互之间设立去应力层；研制新型软焊料，添加微量稀有元素，使颗粒细化，提高抗拉抗剪的强度；采用特殊烧结模具，使焊料面积大、牢固，保持厚度和吸收应力；管子封装后进行去应力处理，释放应力。该技术解决国家彩电整机提高间歇性寿命等技术难题，管子间歇寿命达到1.5~3万次。1989年至1990年12月，推广3家企业，新增利税400万元，节省外汇200万美元。1991年获省科技进步一等奖。
1989—1994年，山东大学研制的F型封装选极功率晶体管及其制造技术，在创立了晶体管自身组态和晶体管组态与电路组态的组态匹配理论的基础上，发明并命名了选极晶体管，创新了其制造方法，解决了长期以来在世界范围内困扰高反压晶体管安全与散热的技术难题，实现了高频微波功率器件的实用化金属气密封装，使常用（F型）金属封装达到了微波波段。采用普通芯片，在封装时根据整机电路组态需要选择芯片的电极之一与管座电链接，制造出发射极接壳、基极接壳、集电极接壳三种接壳方式的晶体管，分别与共射、共基、共集电极电路相匹配，使之在电路中具有外壳不带电、利用整机机壳散热、有效耗散功率大、无干扰自屏蔽、二次击穿耐量高、安全工作区域大、金属气密封装、高安全、高可靠、结构简单、使用方便、封装成本低等特点。制造技术还包括不用定位模具即可给焊件定位、在烧结炉内达到或接近贴片机的焊接质量等方法，也可用于其他半导体器件。具有国际领先水平，获中国发明专利权2项、实用新型专利权5项，并被成功应用于国防重点“052”工程、彩电国产化、单边带电台、移动通信、个人通信等许多领域的多种电子仪器和设备。1995年获省科技进步二等奖。
1990—1992年，淄博磁性材料厂研制的R8K共沉磁粉、磁芯，是利用高磁导率材料制造的各种规格与型号的磁芯。采用先进的碳酸盐共沉技术研制成功锰锌铁氧体材料，成功实现了产品性能的稳定性和性能指标的一致性，具有活性大、颗粒细、成分均匀、易烧结、稳定性高、一致性好等特点，达到了高磁导率。综合性能指标优异，达到了国际同类材料及产品的水平，在国内属领先地位，改变了高磁导率磁芯依靠进口的局面。销售全国30多个厂家，年平均增产值1500万元，利税380万元。1993年获省科技进步二等奖。
1993—1994年，山东省沂南电子股份有限公司、山东大学研制的低消耗高温型R特性高压瓷介电容器，主要用于彩电、计算机显示器、开关电源、复印机、节能灯等电子仪器、整机设备的高频高压电路中。确定了瓷料的基本组成系统（Sr-Bi-Pb-Ti系统），探索出了瓷料组成物基本配比，选择MnO2、ZnO等十几种氧化物为改性试验，确定出了两种新型的稀土氧化物为改性添加剂，降低了瓷料介质损耗，改善高频特性和高温负荷性能；对瓷料制备、坯体成型和瓷片烧结等关键工艺进行研究探索，制出的粉料细晶均匀；采用特种气氛烧结，解决了瓷片烧结时因成分挥发而引起的组合物比例失调问题，制出的瓷体均匀、致密、气孔率低，有力地保证了产品的各项性能。属国内首创，各项性能技术指标达到了日本村田公司同类产品水平。
1994年1—10月产销700万支，实现产值770万元，利税160万元，节省外汇70万美元。1995年获省科技进步二等奖。
1994—1996年，山东工业大学开展的微电子工艺设计的MS-PC实用化研究，成功开发了微电子及期间特性分析CAD+CADIFORWINDOWS交互系统。对济南半导体厂的P-MOS增强型场效应器件的栅氧化工艺进行了CAD工艺与器件特性的联机模拟优化，独创出一种新型的P-MOS常规栅氧化五步新模式并中试获得理论与实际相一致的结果。经应用，该系统提高了LY732P-MOS场效应管的栅源击穿电压的成品率，填补国内空白，并被转让给国内多家科研、生产与教学单位。直接经济效益58万元。1998年获省科技进步二等奖。
1996—1997年，山东工业大学承担的GaAs/AlxGa1-xAs半导体激光器的研究，是863-307主题中的重要课题。采用非应变材料替代国际采用的应变材料作为超晶格缓冲层，解决了掩埋衬底缺陷的技术难题；对结构参数进一步调整，使100×800μm样品主要经济指标（微分子量效率0.8Mw/Ma，阈值电流密度460A/cm2，光功率1W）达到国际先进水平，具有重要的应用价值。1998年获省科技进步二等奖。
1996—1998年，威海北洋电气集团股份有限公司研制的小型热转印打印机，采用高热导率、高阻发热体材料、高硬度表面保护膜的制备及刻蚀技术；采用具有记忆功能并能自动调整每个驱动器导通时间的高速打印头驱动电路设计加工技术、高速打印头的控制技术；采用切刀模块技术、多路传感器技术，以及智能化上纸、色带双向走动、中文液晶、实时时钟、票面记忆等功能技术。其中《热敏及热转印打印机自动上纸机构》（ZL98221192.7）、《热转印打印机色带收发装置》（ZL98221194.5）获中国实用新型专利。1998年4月—2000年2月，累计生产2900台，新增产值2465万元，利税1067万元，在济南、哈尔滨、沈阳、郑州等12个铁路局、高速公路等售票系统使用。2000年获省科技进步一等奖。
1998—2002年，山东华光光电子有限公司等研制的半导体发光材料外延工艺及器件制造技术，是对高亮度蓝色发光二极管（GaN）、高亮度发光二极管（AIGaInP）外延材料及其管芯，650nm应变量子阱激光器外延材料及管芯技术、大功率808nm无铝应变量子阱激光器等制造技术的研究。采用调制掺杂多量子阱（MD-MQW）结构，改变量子阱能带结构，使街溜子和杂质在空间上分离，提高材料的内量子效率，降低成本；长波段采用量子阱为正应变、势垒为负应变SB结构设计，短波段采用量子阱为负应变、势垒为正应变SB结构设计，提高内量子效率；采用台阶参杂、δ参杂、窗口层加n-GaP电流扩展和发光效率；优化Ni/AuBe/Au、Ni/Au/Ge/Ni/Au金属电极结构，降低正向电压；采用增光腐蚀、SiO2电流限制和在窗口层上加ZnO膜技术，改善电流分布，提高发光强度；采用渐变折射率波导结构和压应变量子阱技术，提高激光器工作性能；台面选择腐蚀工艺，稳定重复控制3~6微米的台面形状和深度；二次外延采用n-AlInP材料做电阻挡层，降低期间阈值电流；优化高质量P型光限制层的掺杂浓度和分布；压应变量子阱及突变异质界面的外延生长，精确控制波长；优化欧姆接触电极制作，提高光电转换率。其中《利用掺杂技术减薄高亮度发光二极管芯片窗口层的方法》（00111113.2）、《一种用氧化锌作为高亮度发光二极管管芯片窗口层的生长方法》（00111112.4）申请中国发明专利。2002年7—12月新增产值550.7万元，利税100.7万元。2003年获省科技进步一等奖。
1999—2001年，山东大学、山大鲁能信息科技有限公司研制的MOS600多功能读卡一体机，是以集高速图像扫描、光学标记识别为一体的计算机高速数据输入设备。采用先进的多处理控制技术、DSP技术、图像处理技术、光标阅读识别技术，解决同时识别图像、条码和光学标记信息的关键技术问题，实现图像信息和光标标记信息同步快速录入；采用模块化设计方法，各模块相对独立，相互间有机结合，提高系统的可靠性、兼容性和可维护性；采用精密机械技术，综合考虑适用性、可靠性和可维护性等；配置先进测试工具，提高产品稳定可靠性。2001年新增产值700万元，利税490万元。
2002年获省科技进步一等奖。
1999—2001年，曲阜师范大学激光研究所完成的高性能晶体偏光器件研制与系列产品开发，属现代光电子信息和激光技术应用领域，是光学应用技术范畴的偏光技术与无源晶体器件。开创了中国偏光技术与器件领域独具特点的研究方法；提出了双折射晶体偏光器件“主参量最大差值设计理论”；完善了测试手段，建立了测试标准；攻克了各向异性晶体的硬膜镀膜技术。产品投产后完全替代进口，1999—2001年新增利润452.7万元。
2002年获国家科技进步二等奖。
2001—2002年，德州三和电子有限公司、山东大学研制的PMM2000系列数字式微型多功能电力参数检测仪表，采用先进的交流采样技术及模糊控制功率补偿技术与自动校正技术；采用Μpd78F4046十六位嵌入式微控制器，集高速A/D转换器、PWM输出（D/A）、UART通信接口、WDT监视时钟以及变送器、数据采集、显示、远距离传输数据于一体，内置可在线编程的48KBFlash程序存储器、2KBSRAM、多位可编程I/O口。具有运算速度快、工作温度范围宽、可靠性高等特点，达到国际同类产品先进水平，推广应用前景广阔。2003年获省科技进步二等奖。
山东省五金研究所、武汉华中科技大学研制的车载智能速度监测器，由信号读取器、主机、显示器、打印机、数据卡、读卡器、手持POC机和后台运行软件组成。采用新型光电技术传感器，测量汽车行驶速度信号，避免对汽车现有结构的拆装和结构破坏；采用单片机技术处理数据和管理系统，自动处理汽车行驶全部信息；采用软硬件技术处理检测器的加密和防拆装处理，保证检测器处于正常工作状态；采用光电耦合信号接口、电源监视与保护电路、DC/DC隔离式开关电源等技术，有效克服机动车电源电压波动以及点火系统干扰对检测器工作的影响，确保记录数据不被破坏、丢失，实时记录行驶时间、车速、里程等数据，并具超速、超时报警功能，10次停车前20秒数据和8种设备状态。2004年下半年投产，项目总投资200万元。
10—12月销售检测器1万台，新增产值1560万元，利税560万元。经鉴定达到国内先进水平。2005年获省科技进步二等奖。
第一节 电子技术
1986—1989年，山东师范大学等开展提高高反压功率三极管间歇寿命的研究。项目研制的是彩电用高反压功率三极管，背部金属采用不同膨胀系数的多层金属，上粘附层与s1在100℃~200℃形成金属硅化物，下粘附层采用Ag、Au与焊料浸润，在上下粘层中间设立阻挡层，其相互之间设立去应力层；研制新型软焊料，添加微量稀有元素，使颗粒细化，提高抗拉抗剪的强度；采用特殊烧结模具，使焊料面积大、牢固，保持厚度和吸收应力；管子封装后进行去应力处理，释放应力。该技术解决国家彩电整机提高间歇性寿命等技术难题，管子间歇寿命达到1.5~3万次。1989年至1990年12月，推广3家企业，新增利税400万元，节省外汇200万美元。1991年获省科技进步一等奖。
1989—1994年，山东大学研制的F型封装选极功率晶体管及其制造技术，在创立了晶体管自身组态和晶体管组态与电路组态的组态匹配理论的基础上，发明并命名了选极晶体管，创新了其制造方法，解决了长期以来在世界范围内困扰高反压晶体管安全与散热的技术难题，实现了高频微波功率器件的实用化金属气密封装，使常用（F型）金属封装达到了微波波段。采用普通芯片，在封装时根据整机电路组态需要选择芯片的电极之一与管座电链接，制造出发射极接壳、基极接壳、集电极接壳三种接壳方式的晶体管，分别与共射、共基、共集电极电路相匹配，使之在电路中具有外壳不带电、利用整机机壳散热、有效耗散功率大、无干扰自屏蔽、二次击穿耐量高、安全工作区域大、金属气密封装、高安全、高可靠、结构简单、使用方便、封装成本低等特点。制造技术还包括不用定位模具即可给焊件定位、在烧结炉内达到或接近贴片机的焊接质量等方法，也可用于其他半导体器件。具有国际领先水平，获中国发明专利权2项、实用新型专利权5项，并被成功应用于国防重点“052”工程、彩电国产化、单边带电台、移动通信、个人通信等许多领域的多种电子仪器和设备。1995年获省科技进步二等奖。
1990—1992年，淄博磁性材料厂研制的R8K共沉磁粉、磁芯，是利用高磁导率材料制造的各种规格与型号的磁芯。采用先进的碳酸盐共沉技术研制成功锰锌铁氧体材料，成功实现了产品性能的稳定性和性能指标的一致性，具有活性大、颗粒细、成分均匀、易烧结、稳定性高、一致性好等特点，达到了高磁导率。综合性能指标优异，达到了国际同类材料及产品的水平，在国内属领先地位，改变了高磁导率磁芯依靠进口的局面。销售全国30多个厂家，年平均增产值1500万元，利税380万元。1993年获省科技进步二等奖。
1993—1994年，山东省沂南电子股份有限公司、山东大学研制的低消耗高温型R特性高压瓷介电容器，主要用于彩电、计算机显示器、开关电源、复印机、节能灯等电子仪器、整机设备的高频高压电路中。确定了瓷料的基本组成系统（Sr-Bi-Pb-Ti系统），探索出了瓷料组成物基本配比，选择MnO2、ZnO等十几种氧化物为改性试验，确定出了两种新型的稀土氧化物为改性添加剂，降低了瓷料介质损耗，改善高频特性和高温负荷性能；对瓷料制备、坯体成型和瓷片烧结等关键工艺进行研究探索，制出的粉料细晶均匀；采用特种气氛烧结，解决了瓷片烧结时因成分挥发而引起的组合物比例失调问题，制出的瓷体均匀、致密、气孔率低，有力地保证了产品的各项性能。属国内首创，各项性能技术指标达到了日本村田公司同类产品水平。
1994年1—10月产销700万支，实现产值770万元，利税160万元，节省外汇70万美元。1995年获省科技进步二等奖。
1994—1996年，山东工业大学开展的微电子工艺设计的MS-PC实用化研究，成功开发了微电子及期间特性分析CAD+CADIFORWINDOWS交互系统。对济南半导体厂的P-MOS增强型场效应器件的栅氧化工艺进行了CAD工艺与器件特性的联机模拟优化，独创出一种新型的P-MOS常规栅氧化五步新模式并中试获得理论与实际相一致的结果。经应用，该系统提高了LY732P-MOS场效应管的栅源击穿电压的成品率，填补国内空白，并被转让给国内多家科研、生产与教学单位。直接经济效益58万元。1998年获省科技进步二等奖。
1996—1997年，山东工业大学承担的GaAs/AlxGa1-xAs半导体激光器的研究，是863-307主题中的重要课题。采用非应变材料替代国际采用的应变材料作为超晶格缓冲层，解决了掩埋衬底缺陷的技术难题；对结构参数进一步调整，使100×800μm样品主要经济指标（微分子量效率0.8Mw/Ma，阈值电流密度460A/cm2，光功率1W）达到国际先进水平，具有重要的应用价值。1998年获省科技进步二等奖。
1996—1998年，威海北洋电气集团股份有限公司研制的小型热转印打印机，采用高热导率、高阻发热体材料、高硬度表面保护膜的制备及刻蚀技术；采用具有记忆功能并能自动调整每个驱动器导通时间的高速打印头驱动电路设计加工技术、高速打印头的控制技术；采用切刀模块技术、多路传感器技术，以及智能化上纸、色带双向走动、中文液晶、实时时钟、票面记忆等功能技术。其中《热敏及热转印打印机自动上纸机构》（ZL98221192.7）、《热转印打印机色带收发装置》（ZL98221194.5）获中国实用新型专利。1998年4月—2000年2月，累计生产2900台，新增产值2465万元，利税1067万元，在济南、哈尔滨、沈阳、郑州等12个铁路局、高速公路等售票系统使用。2000年获省科技进步一等奖。
1998—2002年，山东华光光电子有限公司等研制的半导体发光材料外延工艺及器件制造技术，是对高亮度蓝色发光二极管（GaN）、高亮度发光二极管（AIGaInP）外延材料及其管芯，650nm应变量子阱激光器外延材料及管芯技术、大功率808nm无铝应变量子阱激光器等制造技术的研究。采用调制掺杂多量子阱（MD-MQW）结构，改变量子阱能带结构，使街溜子和杂质在空间上分离，提高材料的内量子效率，降低成本；长波段采用量子阱为正应变、势垒为负应变SB结构设计，短波段采用量子阱为负应变、势垒为正应变SB结构设计，提高内量子效率；采用台阶参杂、δ参杂、窗口层加n-GaP电流扩展和发光效率；优化Ni/AuBe/Au、Ni/Au/Ge/Ni/Au金属电极结构，降低正向电压；采用增光腐蚀、SiO2电流限制和在窗口层上加ZnO膜技术，改善电流分布，提高发光强度；采用渐变折射率波导结构和压应变量子阱技术，提高激光器工作性能；台面选择腐蚀工艺，稳定重复控制3~6微米的台面形状和深度；二次外延采用n-AlInP材料做电阻挡层，降低期间阈值电流；优化高质量P型光限制层的掺杂浓度和分布；压应变量子阱及突变异质界面的外延生长，精确控制波长；优化欧姆接触电极制作，提高光电转换率。其中《利用掺杂技术减薄高亮度发光二极管芯片窗口层的方法》（00111113.2）、《一种用氧化锌作为高亮度发光二极管管芯片窗口层的生长方法》（00111112.4）申请中国发明专利。2002年7—12月新增产值550.7万元，利税100.7万元。2003年获省科技进步一等奖。
1999—2001年，山东大学、山大鲁能信息科技有限公司研制的MOS600多功能读卡一体机，是以集高速图像扫描、光学标记识别为一体的计算机高速数据输入设备。采用先进的多处理控制技术、DSP技术、图像处理技术、光标阅读识别技术，解决同时识别图像、条码和光学标记信息的关键技术问题，实现图像信息和光标标记信息同步快速录入；采用模块化设计方法，各模块相对独立，相互间有机结合，提高系统的可靠性、兼容性和可维护性；采用精密机械技术，综合考虑适用性、可靠性和可维护性等；配置先进测试工具，提高产品稳定可靠性。2001年新增产值700万元，利税490万元。
2002年获省科技进步一等奖。
1999—2001年，曲阜师范大学激光研究所完成的高性能晶体偏光器件研制与系列产品开发，属现代光电子信息和激光技术应用领域，是光学应用技术范畴的偏光技术与无源晶体器件。开创了中国偏光技术与器件领域独具特点的研究方法；提出了双折射晶体偏光器件“主参量最大差值设计理论”；完善了测试手段，建立了测试标准；攻克了各向异性晶体的硬膜镀膜技术。产品投产后完全替代进口，1999—2001年新增利润452.7万元。
2002年获国家科技进步二等奖。
2001—2002年，德州三和电子有限公司、山东大学研制的PMM2000系列数字式微型多功能电力参数检测仪表，采用先进的交流采样技术及模糊控制功率补偿技术与自动校正技术；采用Μpd78F4046十六位嵌入式微控制器，集高速A/D转换器、PWM输出（D/A）、UART通信接口、WDT监视时钟以及变送器、数据采集、显示、远距离传输数据于一体，内置可在线编程的48KBFlash程序存储器、2KBSRAM、多位可编程I/O口。具有运算速度快、工作温度范围宽、可靠性高等特点，达到国际同类产品先进水平，推广应用前景广阔。2003年获省科技进步二等奖。
山东省五金研究所、武汉华中科技大学研制的车载智能速度监测器，由信号读取器、主机、显示器、打印机、数据卡、读卡器、手持POC机和后台运行软件组成。采用新型光电技术传感器，测量汽车行驶速度信号，避免对汽车现有结构的拆装和结构破坏；采用单片机技术处理数据和管理系统，自动处理汽车行驶全部信息；采用软硬件技术处理检测器的加密和防拆装处理，保证检测器处于正常工作状态；采用光电耦合信号接口、电源监视与保护电路、DC/DC隔离式开关电源等技术，有效克服机动车电源电压波动以及点火系统干扰对检测器工作的影响，确保记录数据不被破坏、丢失，实时记录行驶时间、车速、里程等数据，并具超速、超时报警功能，10次停车前20秒数据和8种设备状态。2004年下半年投产，项目总投资200万元。
10—12月销售检测器1万台，新增产值1560万元，利税560万元。经鉴定达到国内先进水平。2005年获省科技进步二等奖。