1980年5月，威海无线电三厂与中国科学院半导体研究所签定共同研制低压化学气相淀积设备协议书，该厂负责设备实验。1981年6月20日，产品通过山东省科委技术鉴定，翌年投入正式生产。先后有L-Z型(反应室直径70毫米)、L一3型、L一4型(反应室口径90毫米)、L一5型(反应室口径120毫米)等新产品投产。该设备1982年获山东省重大科技成果3等奖。1983年11月出展于全国新产品展览会。至1985年底，该设备累计生产39台。
1982年6月，该厂与中国科学院半导体研究所签订共同研制扩散炉式等离子体低压化学气相淀积(P-LPCVD)设备协议书，是年底试制出两台样机。此后，该厂又先后开发出P一2型(口径90毫米)、P一3型(口径70毫米)、P一5型(口径120毫米)等新规格的产品。1983年11月，P～ LPCVD设备通过山东省科委主持的技术鉴定，填补了国内半导体工艺设备的一项空白。利用该设备制造的薄膜质量达到国际先进水平。3DA76型晶体三极管获1984年国家质量奖银质奖；采用该设备研制的2一SLH薄膜工艺新技术被评为电子工业部科技成果一等奖，并申报了专利。该设备至1985年共生产29台。
1981年11月，威海无线电三厂与北京半导体器件研究所签订共同研制高压水汽氧化设备的技术协议书。1982年4月该厂开始研制，后协议中止，威海无线电三厂重新自行设计，工艺试验改由山东大学物理系承担。1985年11月该设备通过电子工业部元器件工业管理局技术鉴定，随即参展亚太地区博览会。