第三节 单 晶

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锗单晶 青岛生产过N型和P型锗单晶,共有22个牌号。
1966年7月,胶县无线电材料厂开始建厂(1972年更名为胶县半导体器件四厂)。同
时派人去济南半导体研究所学习,开始试制锗单晶。1969年2月,锗单晶试制成功,鉴定
合格后,随即投入批量生产。当年生产41.96公斤。1971年增添专用设备7台。次年,生
产锗单晶达201.50公斤,是历史最高产量。由于锗晶体管在性能方面劣于硅晶体管,锗
晶体管市场逐年萎缩, 锗单晶产量逐年减少。1979年底,年产量仅为17.44公斤。1980
年,锗单晶停止生产。
锗单晶前后共生产了13年, 累计产量1021.38公斤,产品除保证山东省晶体管制造
业外,还销往国内其他省市、自治区。
硅单晶 1965年底,青岛半导体实验所派员去淄博市八三厂学习N型硅单晶的拉制
技术。1966年,在仅有一台小型单晶炉和容量几十克坩埚的生产条件下,开始了硅单晶
的试制。由于设备简陋, 至1969年,只试制出少量电阻率为几十欧姆·厘米的N型硅单
晶。
1970年, 青岛市科委组织了全市硅单晶生产会战。会战中青岛电器元件厂自制了
三台直拉式单晶炉,也开始了硅单晶的试制。同时,青岛半导体实验所添置了四台大型
单晶炉,坩埚容量亦增至300克。当年,试制出高低阻N型和P型硅单晶。其参数范围为:
位错——从无位错到103个/平方厘米,直径40毫米。其中,N型单晶电阻率为10~6×10
5欧姆·厘米,P型单晶电阻率为10欧姆·厘米。
1974年,青岛半导体实验所在历年累计生产40公斤后停产。1978年,青岛电器元件
厂在历年累计生产300公斤后也停止生产。
多晶硅 1966年5月,青岛化工厂开始研制多晶硅。1968年7月,样品研制成功。当
月, 冶金部组织产品鉴定,认为质量优良。化学工业部来贺电,并将青岛化工厂定为多
晶硅定点生产厂。
1969年底,青岛化工厂将原年产0.5吨的小型生产装置,扩建为年产6吨的大型生产
装置。1970年10月,在历年累计生产1000公斤后,多晶硅停产。