半导体物理与器件物理 50年代末60年代初，主要进行半导体材料某些特征参
数的分析研究。山东大学用多种方法测量了半导体中非平衡载流子的寿命，并通过
MOS结构研究半导体中载流子迁移率。进而研究了双扩散晶体管的基区渡越时间及
发射效率，并结合生产对功率晶体管的发射极设计进行了理论探讨。随后，又对具
有PTE＞1及均匀载流子漂移速度的硅雪崩二极管进行了理论分析。同时对半导体器
件数值模拟提出新的方法，对碲镉汞PN结光电二极管稳态特性进行了计算机模拟。
其间，还开展了表面气氛对器件稳定性的影响、硅器件H参数的分析等研究。
1963年，山东大学在晶体管研制的基础上，讨论分析半导体表面对器件参数的
影响，先后研究了氧、水汽等对锗器件特性的影响。1965年与生产单位合作研究氧
钝化锗金键二极管，取得良好的效益。
70年代，山东大学对大批表面特性研究成果进行整理分析，形成了系统资料。
还研究了掺氯氧化对硅表面特性影响的新工艺，发表了相应的研究论文。
器件研制 1958年底，山东大学与山东半导体所合作，首次在省内研制成功并
小批量生产了锗钨键点接触二极管，装机使用效果良好。同时，山东工学院也试制
成功锗点接二极管。
1965年，山东大学研制成功并生产硅开关二极管和硅稳压二极管。1968年又研
制并生产二极管组合件和薄膜电路。
60年代末至70年代初，山东工学院研制并生产5-50安和100-200安系列的晶闸
管，并试制出200-500安晶闸管/整流管全动态测试仪以及进口拖拉机用整流管。这
期间，还用自制的直拉单晶炉在省内首次拉制出锗、锑化铟单晶。
69年代末70年代初，山东师范学院研制成功3DD大功率晶体管和3DA高频大功率
晶体管和小规模集成电路等。1971-1980年进行了单片机HD-38401解剖分析和MOS集
成电路的研制和硅高硼膜去除等研究。
从1970年起，山东大学研制并生产硅外延平面型开关三极管3CK系列，超高频、
超高速和2SA603系列，其中超高速硅平面开关三极管达到当时国内先进水平。还研
制成雪崩二极管、MOS场效应晶体管、VMOS场效应晶体管和隧道二极管等。其中陆
大荣等研制成功的5厘米锗微波隧道二极管，获1978年全国科学大会奖，1984年成
功地用于中国第一颗人造通讯卫星；1979年研制成功的20微微秒锗超高速隧道二极
管，获1981年省科技成果一等奖。
1981年山东大学刘可辛、罗升旭等研制成功的大功率VMOS场效应晶体管，获
1981年省科技成果二等奖。1983年，山东工学院鲍天保等研制成功超突变结硅变容
管及频段转换二极管。
非晶态半导体理论与器件 非晶态半导体研究始于1979年，主要集中在山东大
学。半导体教研室戴国才为非晶态半导体研究的发起人，先后承担“六五”国家科
委重点攻关项目“廉价非晶硅太阳电池材料研究”和“非晶态半导体基础理论研究”
，课题集中于氢化非晶硅材料制备、掺杂、电光特性及太阳电池等应用研究。理论
研究采用与化学交叉方法，内容属学科的前沿。特别在其光电特性研究方面，提出
过新的理论模型，处于国内领先地位，在国外也有一定影响。1980年起多次参加国
际半导体会议、国际非晶态和液态半导体会议、国际光伏会议等进行学术交流。所
研制的非晶硅太阳电池，达到当时国内先进水平，并在全国“六五”科技成果展览
会上展出。复合非晶膜钝化技术已应用于生产中。