1958年底，山东科学分院半导体所和山东大学首次研制出锗钨键二极管。
同年，济南半导体研究所以副所长姜琪为主，自制土设备，从烟灰中提取出二
氧化锗材料。于1959年试制出省内第一批锗钨键二极管，还试制成功管状热敏电阻、
球状热敏电阻和光敏电阻等8种新产品。1960－1961年，青岛电子管厂先后试制生
产出5U4G、872整流管，807中小型发射管。1961年，济南半导体研究所研制出反向
耐压100伏以上的2API锗钨键整流二极管，性能和质量较好，上机率达到80%以上，
超过了当时苏联同类产品上机率50%的水平。1962年又研制成功锗钨键开关二极管
和2AX锗金键开关二极管等国内先进水平的产品，当年生产出锗钨键开关二极管1万
只，性能可靠，上机率达95%，受到国防科委的表扬，并用于中国第一颗人造地球
卫星。
1962年，山东生建八三厂半导体研究所研制成功四氯化硅和多晶硅，拉制出合
格的单晶硅。进而研制出硅NPN低频小功率三极管，达到苏联II101的参数标准。同
年，青岛电器元件厂试制成功5A-100A五种硅整流器件。
1964－1965年，山东生建八三厂半导体研究所试制成功硅NPN台高频高压小功
率晶体管和5瓦硅NPN低频人造大功率晶体管，填补了国内空白。
1968年，济南半导体所试制成功半导体集成矩阵电路。
1977年，山东大学研制成功锗微波隧道二极管获1978年全国科学大会奖。1979
年省生建八三厂研究所邵式俊等研制成功低压超高频大功率晶体管，输出功率1－
10W，功率增益大于5db，填补国内空白，获1980年省科技成果二等奖。1980年，山
东大学陆大荣等研制成功20微微秒锗超高速开关隧道二极管，可产生阶越时间短至
20微微秒的平顶脉冲，填补国内空白，比美国HP公司产品有更高的可靠性，每年可
节省外汇10万美元，获1981年省科技成果一等奖。1981年，该校刘可辛等研制成功
3DOV型VMOS场效应功率晶体管，具有工作频率高、动态范围大、耐压高等特点，性
能国内领先，达到国际先进水平，获1982年省科技成果二等奖。
1979年，青岛晶体管试验所和青岛化工研究所研制出液晶显示器，用于手表、
袖珍计算器和仪器仪表等显示，取代进口产品。获1980年省科技成果二等奖。
1981年5月，济南半导体所刘庚乾研制成功LE480高阻抗头，输入阻抗高(可达
1013欧)输出阻抗低，负载能力强，是一种良好的阻抗变换器，为国内首创。
获1981年省科技成果二等奖。
同年7月，济南无线电八厂研制成功4种DY系列高精度低漂移运算放大器功能块，
主要技术指标达到美国AD公司70年代同类产品水平。获1981年省科技成果二等奖。
其中DY-01低漂移运算动能块，还获1981年电子部科技成果二等奖。
1982年，威海无线电一厂丁成玉等研制成功WBE型硅精密埋层温度补偿稳压二
极管，采用新型的表面钝化和集成电路工艺，噪声极低，漂移很小，其主要技术指
标达到国际同类产品ME605水平，填补国内空白，可替代进口，获1983年国家发明
四等奖。
1982－1985年，济南半导体所华春庭研制成功硅PNP高频中、小功率三极管
LY2905A、LY2907A，赵云山研制成功硅PNP中、小功率高反压三极管LY3636、LY90，
李爽林研制成功中功率高反压三极管LY4002，娄建民研制成功高频小功率对管
LY3350等系列产品，主要参数指标与美国同型号有很好的互换性，基本达到美军
MIL标准，成功地用于“HQ-7”国防重点工程。该所研制的上述6种产品均获1985年
电子工业部科技进步二等奖。
1983年，山东师范大学赵富贤等完成镓扩散工艺在高反压管生产管中的应用研
究，其工艺参数的一致性、重复性好，偏差均小于10%，产品合格率优品率高，与
原扩硼工艺相比，增长率分别为53.6%、276.7%，利润增产一倍以上。与闭管镓扩
散相比，操作简便，工艺参数随时可测可调，成本较低，适于大批量投产与大面积
推广应用。特别在研制和生产特种电力半导体器件中将产生重大影响。该成果获
1983年省科技成果一等奖和电子部科技成果二等奖。
1984年，济南半导体所引进日本松下电器公司彩电集成电路后道工序生产线，
使集成电路生产技术提高到一个新水平。
1985年，山东师范大学薛成山等完成玻璃钝化技术在高反压管生产中的应用研
究，钝化效果明显，成品率有显著提高，为国内高反压管生产开辟了一条新的工艺
途径，有重大突破，国内首创，获1986年省科技进步一等奖。
1985年，山东师范大学王喜山完成的氮氖激光管长寿命的研究，使小型全内腔
式氮氖激光管的寿命由5000－8000小时提高到1万小时以上，最高为7.2万小时，保
险期由半年到1年提高到1年半，达到国际标准。获1986年省科技进步二等奖。其“
离子层对铝阴极的保护技术”，主要用于气体放电的电子器件铝冷阴极保护，防止
发生阴极溅射现象，延长使用寿命，应用于济南无线电十七厂氮氖激光管生产，平
均无故障时间由8000小时提高到2.2万小时，达到世界先进水平。获1987年国家发
明三等奖。