一、平行缝焊机
1981年6月，青岛无线电专用设备厂研制成功PFJ-2型平行缝焊机，同年8月通
过市级鉴定并投入生产。该产品用于14～40行线集成电路的双列直插式陶瓷金属化
管壳的气密封装，适当改变胎具结构，也可用于扁平式陶瓷金属化管壳的封装。产
品性能稳定可靠，焊接电流、压力、速度均连续可调，焊接运动平稳，噪音小，并
有过载保护，适用性强，采用机外胎具装卡，一胎多用，更换产品方便，适宜试验
性多品种生产，也可用于定型产品的批量生产。1983年获国家优秀新产品金龙奖。
至1988年，累计生产42台。
二、低压化学气相淀积设备
1981年，威海无线电三厂与中科院半导体研究所联合研制成功低压化学气相淀
积设备(简称LPCVD)。同年6月通过省级鉴定，次年投入生产。该设备用于大规模集
成电路和各种器件的扩散掩蔽、表面钝化、掺杂固--固扩散、多层布线以及MOS器
件的硅栅工艺、超高频器件的线结扩散等，具有结构紧凑、工作稳定可靠、气密性
能好、维修方便等特点，与日本国际电气公司生产的LPCVD设备主要技术指标相近，
填补了国内一项空白。用该产品制作的薄膜质量接近美国兼松公司同类产品水平。
该设备有L-1、L-2、L-3、L-4、L-5等5种型号，形成系列产品。1981年获省科
技成果三等奖，1983年获国家优秀新产品金龙奖，1985年L-3型低压化学气相淀积
设备获电子工业部和山东省优质产品奖。至1988年，累计生产47台。
三、等离子低压化学气相淀积设备
1982年10月，威海无线电三厂与中科院半导体研究所共同研制成功等离子低压
化学气相淀积设备(简称P-LPCVD)。1983年通过省级鉴定并投入生产。该设备用于
大规模集成电路和各种半导体器件的表面钝化、固一固扩散、多层布线绝缘介质膜
以及金属化布线等。采用双层反应室，不仅能做等离子氮化硅，而且能做高温氮化
硅、多晶硅，具备一机多用的特点，系国内首创，与美国ASM公司1980年生产的同
类产品水平接近。用该产品制作的薄膜质量达到国际水平。1983年获省科技成果二
等奖，1985年获国家科技进步三等奖。至1988年，累计生产32台。
LPCVD及P-LPCVD的研制成功，替代了进口设备，为国家节约外汇近千万美元。