一、单管氢气炉
1966年9月，青岛无线电专用设备厂试制成功L6515Ⅱ-4型单管氢气炉，当年生
产14台，这是山东省电子专用设备工业的最初产品。该设备供半导体器件或金属零
件在氢气中退火或合金烧结之用，炉内温度最高达1450℃。电子工业部七七四厂、
七七八厂、七七三厂、七七六厂等电子管厂应用于真空热处理器件，电子部十二所
应用于金属陶瓷化烧结工艺，其他半导体生产厂应用于管壳、管帽的烧结工艺等。
至1988年，青岛无线电专用设备厂累计生产294台。
二、高温扩散炉
1967年，青岛无线电专用设备厂试制成功D051-32型高温扩散炉，次年投入生
产。该设备适用于半导体平面工艺，作为磷、硼等对硅晶片扩散的加热设备。炉管
内径67毫米，控温精度±1℃，恒温区≥250毫米。为该类产品的第一代，是山东省
生产的第一种高温扩散炉。至1988年，累计生产164台。
1983年，青岛无线电专用设备厂研制成功L4514Ⅱ型高温扩散炉，同年投入生
产。该设备用于半导体平面工艺的扩散、氧化、烧结等。其特点为无内外刚玉炉管，
炉丝加热器兼做炉管用，使用寿命长，升温快，动态特性好，耗能低，属第三代产
品，居国内先进水平。1984年获电子工业部优质产品奖及山东省优质产品奖。至
1988年，累计生产186台。
1985年2月，青岛无线电专用设备厂又研制成功L4514Ⅱ-33/RZQ型电脑程控高
温扩散炉。该设备用于半导体工业大口径硅片扩散工艺。采用Z80微处理器构成程
序控制器，能对温度进行升降速率控制，以及过程时间控制等，控温精度达±0.5℃
/24小时，属第四代产品。1988年投入生产，至年底共生产5台。
三、真空烧结炉
1971年，青岛无线电专用设备厂试制成功L6413Ⅱ-1型坑式真空烧结炉，次年
投入生产。该设备为半导体工艺设备，用以将半导体芯片烧结在管座上。至1988年，
累计生产69台。
1980年，该厂又试制成功L4611-D型卧式真空烧结炉。其工作温度为400～1150℃
，控温精度≤±1℃/24小时，等温区长≥200毫米/±1℃。具有加热体短而温区长、
控温精度高等特点。至1988年，累计生产65台。
1984年3月，青岛无线电专用设备厂还研制成功L4811Ⅱ型立式真空烧结炉，同
年投入生产。1985年4月通过省级鉴定。该设备具有一机多用(可以作真空烧结，也
可用作真空扩散)、控温精度高、温区长、保温性能好、真空度高等特点。至1988
年，累计生产84台。
四、真空镀膜机
1969年，青岛无线电专用设备厂试制成功ZD-306型真空镀膜机，次年投入生产。
该设备通过真空蒸发的方式在金属或非金属、导体或半导体以及绝缘体等多种材料
上涂覆不同性质的镀膜，在半导体平面工艺中可在硅片上蒸发一层铝膜。1973年后
停产，累计生产192台。
五、单晶炉
1970年，青岛无线电专用设备厂试制成功单晶炉，同年投入生产。该设备可将
多晶硅经过1400℃高温熔化，再提拉成单晶硅。其加热功率≥30KW，加热温度稳定，
连续可调，有真空设备。1972年后停产，累计生产20台。
六、热压焊机
1971年3月，烟台无线电设备厂试制成功ZFZ型热压焊机，供焊接各种晶体管的
内引线用。当年生产156台，至1972年底，累计生产200台，1973年后停产。
七、电脑温控仪
1986年，青岛无线电专用设备厂研制成功DWK/RZQ型电脑温控仪。该仪器能方
便而准确的满足各种复杂温度曲线的控制要求，特别适应于多点精密温度控制。其
测温范围0～1600℃，分辨率0.1℃，控温精度±0.5℃/24小时，为国内同类产品领
先水平，达到国际80年代初水平。1988年5月获国家优秀成果奖。1987年投入生产，
至1988年，累计生产51台。