一、锗单晶
1958年，济南半导体元件实验所成功地从烟灰中提取出半导体材料锗，并以此
为材料试制成功锗三极管。但因条件限制，锗产量很少，只是试制品。
1966年7月，胶县无线电材料厂(1972年更名为胶县半导体器件四厂)开始试制
锗单晶。1969年2月试制成功并鉴定合格，随即投入批量生产，当年生产41.96千克。
1972年产量最高，为201.5千克。后随着硅单晶材料的兴起，锗单晶市场逐年萎缩，
1979年只生产17.44千克。1980年停产，累计生产1021.38千克。产品除供应省内晶
体管制造厂外，还销往国内其他省市。
二、硅单晶
1960年，山东半导体研究所开始试制单晶硅。1962-1982年，先后用直拉法和
区域融熔法拉制出N型和P型硅单晶，并生产出了硅外延片。1962年生产硅单晶15.
47千克。到1983年，该所累计生产硅单晶3565.7千克。
1966年，青岛半导体实验所开始试制硅单晶，1969年试制出少量成品。1970年，
青岛市科委组织全市硅单晶生产会战。会战中，青岛电器元件厂自制三台直拉式单
晶炉，开始试制硅单晶。青岛半导体实验所添置4台大型单晶炉，当年试制出N型和
P型硅单晶，到1974年，共生产40千克，1974年后停产。青岛电器元件厂一直生产
到1978年，累计产量300千克。
1970年9月，山东半导体厂试制成功单晶硅材料并投产，到1980年11月停产，
累计生产约300千克，主要供本厂生产硅晶体管使用。
三、尼酸锂单晶
1983年12月，青岛晶体元件厂研制成功压电级铌酸锂晶体。该产品具有压电、
电光等多方面的优良性能，是制做电视滤波器、电光调制器、全息储存介质等的理
想材料，具有机械性能好、居里温度高、不潮解等优点。主要技术性能在国内居领
先地位。产品的插损、旁瓣抑制、晶体的电弹性能、机电耦合系数等指标均达到美、
日等国同类产品的水平，可替代进口材料，为国家节约外汇。该产品1984年10月通
过省级生产定型鉴定，1985年9月获青岛市科研成果三等奖。
到1988年，青岛晶体元件厂累计生产铌酸锂单晶745千克。