一、锗单晶
1958年，济南半导体元件实验所成功地从烟灰中提取出半导体材料锗，并以此
为材料试制成功锗三极管。但因条件限制，锗产量很少，只是试制品。
1966年7月，胶县无线电材料厂(1972年更名为胶县半导体器件四厂)开始试制
锗单晶。1969年2月试制成功并鉴定合格，随即投入批量生产，当年生产41.96千克。
1972年产量最高，为201.5千克。后随着硅单晶材料的兴起，锗单晶市场逐年萎缩，
1979年只生产17.44千克。1980年停产，累计生产1021.38千克。产品除供应省内晶
体管制造厂外，还销往国内其他省市。
二、硅单晶
1960年，山东半导体研究所开始试制单晶硅。1962-1982年，先后用直拉法和
区域融熔法拉制出N型和P型硅单晶，并生产出了硅外延片。1962年生产硅单晶15.
47千克。到1983年，该所累计生产硅单晶3565.7千克。
1966年，青岛半导体实验所开始试制硅单晶，1969年试制出少量成品。1970年，
青岛市科委组织全市硅单晶生产会战。会战中，青岛电器元件厂自制三台直拉式单
晶炉，开始试制硅单晶。青岛半导体实验所添置4台大型单晶炉，当年试制出N型和
P型硅单晶，到1974年，共生产40千克，1974年后停产。青岛电器元件厂一直生产
到1978年，累计产量300千克。
1970年9月，山东半导体厂试制成功单晶硅材料并投产，到1980年11月停产，
累计生产约300千克，主要供本厂生产硅晶体管使用。
三、尼酸锂单晶
1983年12月，青岛晶体元件厂研制成功压电级铌酸锂晶体。该产品具有压电、
电光等多方面的优良性能，是制做电视滤波器、电光调制器、全息储存介质等的理
想材料，具有机械性能好、居里温度高、不潮解等优点。主要技术性能在国内居领
先地位。产品的插损、旁瓣抑制、晶体的电弹性能、机电耦合系数等指标均达到美、
日等国同类产品的水平，可替代进口材料，为国家节约外汇。该产品1984年10月通
过省级生产定型鉴定，1985年9月获青岛市科研成果三等奖。
到1988年，青岛晶体元件厂累计生产铌酸锂单晶745千克。
第一辑 单晶材料
视图
一、锗单晶
1958年，济南半导体元件实验所成功地从烟灰中提取出半导体材料锗，并以此
为材料试制成功锗三极管。但因条件限制，锗产量很少，只是试制品。
1966年7月，胶县无线电材料厂(1972年更名为胶县半导体器件四厂)开始试制
锗单晶。1969年2月试制成功并鉴定合格，随即投入批量生产，当年生产41.96千克。
1972年产量最高，为201.5千克。后随着硅单晶材料的兴起，锗单晶市场逐年萎缩，
1979年只生产17.44千克。1980年停产，累计生产1021.38千克。产品除供应省内晶
体管制造厂外，还销往国内其他省市。
二、硅单晶
1960年，山东半导体研究所开始试制单晶硅。1962-1982年，先后用直拉法和
区域融熔法拉制出N型和P型硅单晶，并生产出了硅外延片。1962年生产硅单晶15.
47千克。到1983年，该所累计生产硅单晶3565.7千克。
1966年，青岛半导体实验所开始试制硅单晶，1969年试制出少量成品。1970年，
青岛市科委组织全市硅单晶生产会战。会战中，青岛电器元件厂自制三台直拉式单
晶炉，开始试制硅单晶。青岛半导体实验所添置4台大型单晶炉，当年试制出N型和
P型硅单晶，到1974年，共生产40千克，1974年后停产。青岛电器元件厂一直生产
到1978年，累计产量300千克。
1970年9月，山东半导体厂试制成功单晶硅材料并投产，到1980年11月停产，
累计生产约300千克，主要供本厂生产硅晶体管使用。
三、尼酸锂单晶
1983年12月，青岛晶体元件厂研制成功压电级铌酸锂晶体。该产品具有压电、
电光等多方面的优良性能，是制做电视滤波器、电光调制器、全息储存介质等的理
想材料，具有机械性能好、居里温度高、不潮解等优点。主要技术性能在国内居领
先地位。产品的插损、旁瓣抑制、晶体的电弹性能、机电耦合系数等指标均达到美、
日等国同类产品的水平，可替代进口材料，为国家节约外汇。该产品1984年10月通
过省级生产定型鉴定，1985年9月获青岛市科研成果三等奖。
到1988年，青岛晶体元件厂累计生产铌酸锂单晶745千克。