1976年，临沂半导体器件厂李东汉等研制人员先后研制成功EDM硅NPN和ECM硅
PNP型微功耗超增益差分对管，1982年12月通过生产定型鉴定。该产品在研制过程
中采用了新的扩散方法和氧化方法，使用了LPCVD氮化硅表面钝化工艺，并对车间
进行了净化改造。研制人员针对该产品的对称性、温漂等问题进行了认真的分析、
研究，经多次试验，使这两个技术指标都达到了国际同类产品的水平。这些产品在
微小工作电流下具有较高的放大倍数且反向电流小、低频噪声低、对称性能好，是
理想的微弱电信号的差分放大器。该产品填补了国内空白，广泛用于新一代高精度
测量仪器、自动化控制、微弱信号检测系统、载波电话、高传真音响系统、高精度
敏感组件、运算放大器功能组件等。曾用于向太平洋发射的远程运载火箭、潜艇水
下发射弹道导弹和通信卫星等国家重点工程中，1983年获国家优秀新产品“金龙奖”
和山东省科技进步三等奖，1984年获山东省优质产品奖。国内100多个厂家使用该
产品替代进口器件，研制生产出具有先进水平的整机仪器。
到1988年，临沂半导体器件厂累计生产微功耗超增益差分对管14.63万只。
1976年，济南半导体四厂研制成功JD系列差分对管。该产品是在同一硅片上用
介质隔离技术或P-N结隔离技术同时制作一对以上的NPN小功率平面晶体管，用12脚
金属管壳封装。与单管配对差分对管相比，在电性能以及对称性方面都好，温度漂
移小，通用性强，主要应用于多种微功率、低功率状态下运用的各种差分前置放大
电路以及线性电路、温度跟随电路中，使用方便。到1979年，累计生产10万只。
1979年后停产。