3CM、3DM微功耗晶体三极管

1972年，济南半导体元件实验所试制成功3CM微功耗超β三极管，到1976年，
共生产3.59万只。
　　1975年，临沂半导体器件厂研制成功3CM微功耗超β三极管和3DM微功耗高β三
极管。该产品主要用于小电流微弱信号放大电路中，具有输入阻抗高、噪声低等特
点，属同类产品第二代，该产品采用新的氧化、扩散工艺和氮化硅表面钝化工艺，
性能可靠，参数规范，余量较大，在国内居领先水平，在国际上达到了日本同类产
品2SC2329的水平，产品销往全国20多个省、市的100多个厂家。
　　1975年5月，济南半导体四厂开始研制3DMNPN型微功率超β平面晶体三极管，
1976年批量生产，年生产能力6万只。该产品采用BE型金属管壳封装，主要用于小
功率的线性电路，具有良好的线性特性，反向漏电极小，低温性能优良，能在微功
率状态下良好地工作。到1988年，济南半导体四厂累计生产3DMNPN型微功率超β平
面晶体三极管57.43万只。
　　1984年底，临沂半导体器件厂引进了塑料封装及玻璃钝化生产线，产品产量和
产品质量不断提高。
　　到1988年，临沂半导体器件厂累计生产了3CM、3DM硅平面微功耗三极管199.23
万只。