3CG系列硅高频三极管和3CK系列硅开关三极管

Original URL: http://lib.sdsqw.cn/bin/mse.exe?seachword=&K=a&A=31&rec=168&run=13

  60年代中后期,省内研制成功高频小功率三极管。其后,生产厂家、产品种类
逐步增加,生产工艺不断改进,产品质量也稳步提高。到80年代,省内主要生产单
位为济南半导体元件实验所、青岛半导体研究所、威海无线电一厂、山东半导体总
厂、青岛半导体器件五厂。
  济南半导体元件实验所于1965年研制成功3AK高频锗小功率三极管。1968年1月
和5月分别研制成功NPN三极管GK30和PNP三极管3CK2、3CK1。1969年研制成功PNP三
极管3CK3;1973年研制成功3CK5三极管。1983年12月又研制成功3CK9、3CK10三极
管。1984年12月,该所研制成功PNP超高频三极管3CG102。1986年研制成功3CG180
三极管。
  该所是为国家重点工程提供高可靠元器件的“七专”产品生产单位,“七专”
产品生产任务中三极管有11个品种:3CK2(G)硅PNP小功率开关三极管,3CK3(G)硅
PNP中功率开关三极管,3CK9硅PNP中功率开关三极管,3CK10硅PNP中功率开关三极
管,3CG1(G)型硅PNP高频小功率三极管,3CG2(G)型硅PNP高频小功率三极管,3CG3
硅PNP高频小功率三极管,3CG14硅PNP高频中功率三极管,3CG15硅PNP高频小功率
三极管,3CG21硅PNP高频小功率三极管,3CG200(G)型硅PNP高频中功率三极管。以
上产品经七机部、山东省电子工业总公司、济南市电子工业公司及有关部门检查验
收,全部达到一等品标准。1984年3月,电子工业部对该所PNP系列三极管的9个品
种颁发合格证书;6月,电子工业部、国防科工委在北京召开“七专”产品总结会,
该所的“七专”产品获一等奖。
  该所生产的“灵岩”牌3CK-3CG系列晶体管吸取了国内外P-N-P晶体管设计的长
处,改进了版图设计,3CK3、3CK2的大电流特性大大改善。据七○四所、五○二所
和二○○厂等单位的实测和比较,产品质量良好,参数性能达到了国内同类产品的
先进水平。
  1981年,该所生产的3CG2硅平面高频小功率三极管被评为山东省优质产品。
1984年3月在电子工业部五所“七专”产品单批考核中,3CG1三极管通过六级,创
当时全国PNP三极管可靠性的最高水平。1984年7月,航天部第五研究院、第五○二
研究所对该所提供的3CG系列三极管“七专”产品,进行地面各种环境模拟试验及
同步轨道初期的飞行试验,证明其性能良好,工作可靠,能够满足使用要求。1985
年,该所“七专”产品3CG112硅PNP高频小功率三极管被评为电子工业部优质产品;
1986年,3CG2硅PNP高频中功率三极管获山东省优质产品奖;1988年,3CG110硅PNP
高频小功率三极管也被评为山东省优质产品。
  该所生产的3CG110和3CG112两种产品用于国内通信卫星的姿态控制电路和长征
火箭的遥控遥测,圆满地完成了任务。
  1986年到1988年,该所累计生产硅PNP三极管144.62万只,硅NPN三极管80.52
万只,场效应三极管20.79万只。
  青岛半导体研究所于1966年1月开始筹建三极管生产线,10月开始研制3CG系列
硅PNP高频小功率三极管。最初采用合金工艺,1967年6月改用平面工艺试制,1968
年试制成功。
  1971年8月,该所开始试制3CK1、2、3、4、7和3CK110、120高频小功率开关三
极管,1973年11月试制成功并投入批量生产。1983年3月,3CGHT系列高温高频小功
率三极管试制成功,1984年6月通过技术鉴定并投入批量生产。1986年,该所研制
成功低噪声薄封中放管。1987年1月,该所又研制成功仿2N2043PNP对管。
  该所生产的高频中、小功率三极管共有58个品种,其中,3CG1-205共49种,主
要用于高频放大、振荡电路与相应的NPN型硅管互补作放大用;3CK系列硅外延平面
开关三极管3CK1-20有7个品种,主要用于快速开关逻辑电路和互补电路、高频放大
及开关电路;3CGHT系列主要性能与3CG系列产品相同,特点是能在高温条件下(190℃
-200℃)稳定工作。
  到1988年,该所累计生产3CG系列和3CK系列三极管297.59万只。
  威海无线电一厂于1971年开始试制3CG硅高频小功率三极管,1972年试制成功
并正式投入批量生产,年产量达到1万只。1973年,该厂试制成功3CG19、3CG20硅
PNP高反压三极管,产品技术性能达到了国内先进水平。1981年,又试制成功S3CG3
双三极管。
  为了提高产品质量,该厂对3CG系列三极管的生产工艺,进行了一系列改革,
先后采用了磷硅玻璃表面钝化和低温退火工艺,成功地解决了PNP三极管表面漏电
大的问题,提高了管子的高档品率;又对管芯进行阳极氧化,用三氧化二铝表面保
护,进一步减少了漏电电流,并解决了铝膜表面划伤问题,使管子的稳定性和可靠
性大大提高;采用了最新的LPCVD(低压化学气相淀积)氮化磷新工艺,进一步提高
了抗钠离子和抗潮性能;改用大图形版图,改善了管子的大电流特性,增加了管子
的功率余量;用超声压焊替代了热压焊,减轻了管腿的氧化程度,提高了管腿的易
焊性;用电泳漆代替了喷漆工艺,解决了管子的脱漆问题;特别是1980年试验成功
的PCG表面钝化工艺,使产品的成品率显著提高。
  1981年,该厂生产的3CG100B在全国同行业质量评比中获第1名。1982年,该产
品被评为山东省优质产品,1985年,该厂生产的3CG21在全国同行业质量评比中获
三等奖。
  到1988年,该厂累计生产3CG系列三极管513.8万只。
  山东半导体总厂于1975年试制出3CG1-20、3CG74、3CG100、3CG112、3CG121系
列硅PNP高频小功率三极管并形成批量生产能力。该厂产品曾提供给国内运载火箭
使用。自1987年开始,这些产品进行后工序塑料封袋。到1988年,累计生产300万
只。
  青岛半导体器件五厂于1983年开始装配生产3CK、3CG系列硅高频中、小功率三
极管,到1986年停产。累计生产180万只。